IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB100N04S4H2ATMA1 מאת Infineon ו IPC100N04S5L1R5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB100N04S4H2ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) MSL1 (260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualified — Yes
סטטוס RoHS — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100%

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר