IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R165CPATMA1 מאת Infineon ו IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R165CPATMA1 IPD60R385CPATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free lead plating) Compliant
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר