IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon ו BSC011N03LSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | BSC011N03LSTATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | NRND |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 50 A | — |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 5.5 mΩ | — |
| Gate Threshold VGS(th) | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 42 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | 3.6 K/W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Avalanche Rating | 100 % Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 39 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 72 nC |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 115 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Technology | — | Trench MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |