IPD031N06L3GATMA1 vs IRLR8726TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD031N06L3GATMA1 מאת Infineon ו IRLR8726TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD031N06L3GATMA1 IRLR8726TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
רמת MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging)
סטטוס RoHS Compliant —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 86 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 5.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Technology Family — StrongIRFET
RoHS Compliance — ROHS3 Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר