IPD50N04S408ATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N04S408ATMA1 מאת Infineon ו IPD50N03S4L06ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N04S408ATMA1 | IPD50N03S4L06ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| רמת MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 50 A |
| On-State Resistance (R_DS(on) max) | — | 5.5 mOhm at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | 2.2 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 31 nC at V_GS = 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 2.33 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 600 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 34 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 56 W at Tc = 25 C |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (Green Package) |