IPD60R380C6ATMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R380C6ATMA1 מאת Infineon ו IPD50R380CEAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R380C6ATMA1 IPD50R380CEAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction CoolMOS CE (super-junction)
FET Type N-Channel —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 500 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר