IPT059N15N3ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT059N15N3ATMA1 מאת Infineon ו IPP075N15N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPT059N15N3ATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
מארז PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
מספר פינים 8 + exposed source tab —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר