IPTC054N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPTC054N15NM5ATMA1 מאת Infineon ו ISC015N06NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPTC054N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
סוג הרכבה Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר