IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE020N04LM6CGATMA1 מאת Infineon ו IQE036N08NM6CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| מארז | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| מארז / Case | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |