IR2127STRPBF vs IRS2109STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2127STRPBF מאת Infineon ו IRS2109STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IR2127STRPBF IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2127STRPBF IRS2109STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting —
מספר יציאות 1 —
זמן עלייה 80 ns (typical) —
זמן ירידה 60 ns (typical) —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm body width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-free suffix 'PBF')
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Input Type — Non-Inverting, Single Input
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage (VOffset) — 600 V maximum
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Voltage — Compatible with 3.3 V and 5 V logic
Source Current (typical) — 290 mA
Sink Current (typical) — 600 mA
Propagation Delay (ton/off) — 540 ns (typical)
Deadtime — 540 ns (fixed, internal)
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר