IRF3007STRLPBF vs IRFB4110PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF3007STRLPBF מאת Infineon ו IRFB4110PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF3007STRLPBF IRFB4110PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $1.55
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
מארז — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר