IRF9952TRPBF vs IRF7313TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF9952TRPBF מאת Infineon ו IRF7313TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF9952TRPBF IRF7313TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Configuration Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 30 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -30 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
N-Channel R_DS(on) max 0.10 ohm (at VGS = 10 V) —
P-Channel R_DS(on) max 0.25 ohm (at VGS = -10 V) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
מארז 8-pin SOIC (SO-8), surface mount 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) —
Tape and Reel Packaging Yes (TRPBF suffix) —
Qualification Consumer market —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
רמת MSL — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר