IRF9952TRPBF vs IRF7313TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9952TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7313TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9952TRPBF IRF7313TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Configuration Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 30 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -30 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
N-Channel R_DS(on) max 0.10 ohm (at VGS = 10 V) —
P-Channel R_DS(on) max 0.25 ohm (at VGS = -10 V) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
پیکیج 8-pin SOIC (SO-8), surface mount 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) —
Tape and Reel Packaging Yes (TRPBF suffix) —
Qualification Consumer market —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
MSL لیول — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں