IRFR120NTRLPBF vs IRFL014NTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR120NTRLPBF מאת Infineon ו IRFL014NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR120NTRLPBF IRFL014NTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
רמת MSL — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר