IRFR220NTRPBF vs IRFR2405TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR220NTRPBF מאת Infineon ו IRFR2405TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR220NTRPBF IRFR2405TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 70 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +150°C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר