IRFR4105TRPBF vs IRFR3411TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR4105TRPBF מאת Infineon ו IRFR3411TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR4105TRPBF | IRFR3411TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (IR) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | 45 milliohm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | 68 W | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free, PBF suffix) | — |
| Packaging Type | Tape and Reel (TRPBF) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Energy (E_AS) | [DATA_NEEDED: E_AS rating] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| FET Type | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 100 V |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 44 mOhm |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 32 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 48 nC |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| מספר פינים | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dv/dt rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-free, PBF suffix) |