IRFZ44NPBF vs IRF1407PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ44NPBF מאת Infineon ו IRF1407PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ44NPBF IRF1407PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
סטטוס RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר