IRLR2905TRPBF vs IRFR5410TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2905TRPBF מאת Infineon ו IRFR5410TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLR2905TRPBF | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |