IRS21091STRPBF vs IR2109SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS21091STRPBF מאת Infineon ו IR2109SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS21091STRPBF IR2109SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V —
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
מארז 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) SOIC-8
Packaging Tape & Reel —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
זמן עלייה — 200 ns
זמן ירידה — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת צומת פעולה — -40 C to +150 C
סוג הרכבה — Surface Mount

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר