ISC011N03L5SATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC011N03L5SATMA1 מאת Infineon ו BSC022N04LS6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC011N03L5SATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (TJ) | -55 C to +175 C (junction) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| מספר פינים | — | 8 |