ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC015N04NM5ATMA1 מאת Infineon ו ISC058N04NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISC015N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) —
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +175C
מארז / Case PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
מארז — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר