ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC017N04NM5ATMA1 מאת Infineon ו ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC017N04NM5ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 193 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 1.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.4 V | — |
| Gate Charge Qg at VGS=10V | 67 nC | — |
| Input Capacitance Ciss at VDS=20V | 4800 pF | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| מספר פינים | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |