ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC025N08NM5LF2ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N04S6L030HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | ISC025N08NM5LF2ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 198 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 2.55 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max | 3.9 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Max | 96 nC | — |
| Power Dissipation @ TA | 3 W | — |
| Power Dissipation @ TC | 217 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |