ISZ025N06NM6ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ025N06NM6ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N04S6L030HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ025N06NM6ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
מארז PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר