ISZ025N06NM6ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ025N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ025N06NM6ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں