ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ025N06NM6ATMA1 מאת Infineon ו ISC037N12NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISZ025N06NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 137 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 22 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |