K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BFMA מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-107:E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| מתח אספקה | 1.5V | 1.35V |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| השהיית CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| ממשק | — | Parallel |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| מספר פינים | — | 96 |