K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYMA0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYMA0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| מספר פינים | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +85°C |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |