K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RHE165VB-BCWM מאת Samsung Electronics ו K4RBH165VB-BCWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4RHE165VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gbit |
| ארגון | 1G x 16 | 1G x 16 |
| קצב נתונים | 5600 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.1 V | — |
| מארז | 106 FBGA | FBGA-106 |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel, DDR5 | — |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Write CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |