K9CHGY8S5C-CCK0 vs K9EUGY8S0M-BCK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K9CHGY8S5C-CCK0 מאת Samsung Electronics ו K9EUGY8S0M-BCK0 מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung
K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ פעילSamsung Electro-Mechanics
K9EUGY8S0M-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung
K9EUGY8S0M-BCK0 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K9CHGY8S5C-CCK0 | K9EUGY8S0M-BCK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Product Type | NAND Flash Memory | — |
| מארז | BGA-316 | [DATA_NEEDED: package type and dimensions] |
| ארגון | x8 (8-bit data access), quad CE configuration | [DATA_NEEDED: organization x8/x16] |
| Chip Enable Count | 16 (CE_n) | — |
| Pin Reduction | Not used | — |
| Supply Rail VCC | 1.83 V | — |
| Supply Rail (secondary) | 1.84 V | — |
| Supply Rail VCCQ-class | 2.96 V | — |
| Program/Erase Supply Rail | 12 V domain | — |
| Memory Technology | [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation] | — |
| Density | [DATA_NEEDED: total density in Gb] | [DATA_NEEDED: memory density] |
| סוג ממשק | [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA reflow) | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E endurance] | — |
| Product Family | — | K9-series V-NAND Flash |
| סוג זיכרון | — | NAND Flash (non-volatile) |
| Cell Type | — | [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC] |
| מתח אספקה | — | [DATA_NEEDED: VCC voltage] |
| VCCQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: read access time] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: program time] |
| Erase Time (tBERS) | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Packing | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel] |