M29W800FT70N3E vs M29W400FT55N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FT70N3E מאת Micron Technology ו M29W400FT55N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W800FT70N3E M29W400FT55N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Flash Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash (Parallel) Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit —
ארגון 1M x 8 / 512K x 16 —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
ממשק Parallel, address/data bus Parallel
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) 48-TSOP I
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
גודל זיכרון — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
רמת רגישות ללחות (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר