MRF6S18100NBR1 vs MRF5S21045NBR1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MRF6S18100NBR1 מאת NXP Semiconductors ו MRF5S21045NBR1 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MRF6S18100NBR1 | MRF5S21045NBR1 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | Obsolete |
| סוג טרנזיסטור | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) |
| Application | RF Power Amplifier (GSM/GSM EDGE base station) | W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multicarrier amplifier |
| Frequency Range | 1805 MHz to 1990 MHz | — |
| Test Frequency | 1.99 GHz | 2.12 GHz |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 68 V | — |
| Test Supply Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Test Drain Current | 900 mA | — |
| Output Power (Pout) | 100 W | — |
| Power Gain (Gps) | 14.5 dB (typical at 1.99 GHz) | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| מארז / Case | TO-272 WB-4 | — |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-4 | TO-272 WB-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount / Flange Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single, common-source | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per NXP product page) | — |
| Operating Mode | Class AB / Class C (per design) | Class AB |
| Frequency Band | — | 2110 MHz to 2170 MHz |
| Output Power (Avg) | — | 10 W |
| Power Gain | — | 14.5 dB (typical at 2.12 GHz, 28 V) |
| Drain-Source Voltage (Max Rated) | — | 68 V |
| Test Supply Voltage (Vdd) | — | 28 V |
| Test Current | — | 500 mA |
| מארז | — | TO-272 WB-4 (over-molded plastic) |
| Technology | — | Laterally Diffused MOS (LDMOS) |
| Compliance | — | RoHS (status per distributor listing - confirm at order) |
| Manufacturer | — | NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) |