MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A512M16JY-07EAIT:B מאת Micron Technology ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A512M16JY-07EAIT:B | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| קצב נתונים | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| ממשק | Parallel | POD-12 |
| מארז | 96-FBGA (8x14) | 78-FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |