MT53E256M16D1FW-046 vs H5CG46AGBDX017 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT53E256M16D1FW-046 מאת Micron Technology ו H5CG46AGBDX017 מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT53E256M16D1FW-046 - 4Gb LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron
MT53E256M16D1FW-046 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT53E256M16D1FW-046 | H5CG46AGBDX017 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $7.20 | — |
| סוג זיכרון | SDRAM - Mobile LPDDR4X | DDR5 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 16 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 1G x 16 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin (2.133 GHz) | 5600 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time | 3.5 ns | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 0.6 V (LPDDR4X) | — |
| ממשק | Parallel | DDR5 (Double Data Rate 5) |
| מארז | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) | FBGA (surface mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA soldered) | Surface Mount |
| Technology | LPDDR4X LPDRAM | — |
| Speed Grade | -046 (2133 MHz class) | — |
| Temperature Grade (WT suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for WT grade] | — |
| Ball Count | 200 | [DATA_NEEDED: package ball count] |
| Package Dimensions | 10 mm x 14.5 mm | — |
| Low Power Modes | Self-refresh, deep power-down, DPD | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status from datasheet] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD nominal, expected 1.1 V per DDR5 JEDEC class] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support confirmation] |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh scheme] |
| Generation | — | DDR5 |
| Manufacturer Part Status | — | In stock at multiple distributors |
| Typical Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |