1EBN1001AEXUMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EBN1001AEXUMA1 द्वारा Infineon और 2EDL8034G4CXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EBN1001AEXUMA1 1EBN1001AEXUMA1 - 15A Isolated Gate Driver Booster | Infineon EiceDRIVER™

1EBN1001AEXUMA1 - 15A Isolated Gate Driver Booster | Infineon EiceDRIVER™

1EBN1001AEXUMA1 ✓ सक्रिय
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2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EBN1001AEXUMA1 2EDL8034G4CXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Non-Inverting
आउटपुट की संख्या 2 (separate source and sink paths) 2
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
पैकेज PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

डेटाशीट और संसाधन

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