1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8023GXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7146GXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDL8023GXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDL8023GXUMA1 2EDL8023GXUMA1 - 120V Boot, 3A/4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8023GXUMA1 - 120V Boot, 3A/4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8023GXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDN7146GXTMA1 2EDL8023GXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, TTL-compatible
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet]
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated, 120 V rated
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C -40C to +125C
पैकेज PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Maximum Bootstrap Voltage — 120 V
VCC Supply Range — 8 V to 17 V
Channel-to-Channel Delay Match — ±2 ns
Undervoltage Lockout (VCC) — Yes (internal)
Undervoltage Lockout (VBS) — Yes (internal)
Isolation Technology — Junction isolation

डेटाशीट और संसाधन

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