1EDN7550BXTSA1 vs 2EDN7524GXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7550BXTSA1 द्वारा Infineon और 2EDN7524GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 - 4A/8A Single-Channel Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7550BXTSA1 - 4A/8A Single-Channel Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7550BXTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDN7524GXTMA1 2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon

2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon

2EDN7524GXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDN7550BXTSA1 2EDN7524GXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40 °C to +150 °C —
पैकेज PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
राइज़ टाइम — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
फॉल टाइम — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

डेटाशीट और संसाधन

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