1EDN8511BXUSA1 vs 1EDB8275FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN8511BXUSA1 द्वारा Infineon और 1EDB8275FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDN8511BXUSA1 1EDB8275FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40 °C to +150 °C —
पैकेज PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
फ़ंक्शन — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 C to +125 C (industrial)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध