AS4C256M16D3L-12BCNTR vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C256M16D3L-12BCNTR द्वारा Alliance Memory और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C256M16D3L-12BCNTR | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.283V ~ 1.45V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| पैकेज | 96-FBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| सप्लाई करंट | [DATA_NEEDED: Supply Current] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gb |
| डेटा दर | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| पिन की संख्या | — | 96 |