AS4C256M16D3L-12BCNTR vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C256M16D3L-12BCNTR sa pamamagitan ng Alliance Memory at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | AS4C256M16D3L-12BCNTR | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.283V ~ 1.45V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Kuru-kuryente ng Pagbibigay | [DATA_NEEDED: Supply Current] | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gb |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |