AS4C256M8D3LB-12BIN vs NT5CC256M16DP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C256M8D3LB-12BIN द्वारा Alliance Memory और NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C256M8D3LB-12BIN | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 2Gbit (256M x 8) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.283V ~ 1.45V | 1.35V |
| पैकेज / केस | 78-FBGA (8x10.5) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C ~ +95°C (Tc) | — |
| डेटा दर | 1600 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| CAS लेटेंसी | 11 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | 7.8 us at 85°C | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| पैकेज | — | VFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |