AS4C256M8D3LB-12BIN vs NT5CC256M16DP-DI 比較
詳細並排比較 AS4C256M8D3LB-12BIN 由 Alliance Memory 與 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN - 2Gbit DDR3L SDRAM 78-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M8D3LB-12BIN ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | AS4C256M8D3LB-12BIN | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 品牌 | Alliance Memory | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 2Gbit (256M x 8) | — |
| 介面 | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.283V ~ 1.45V | 1.35V |
| 封裝 / 外殼 | 78-FBGA (8x10.5) | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度 | 0°C ~ +95°C (Tc) | — |
| 資料速率 | 1600 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| CAS 延遲 | 11 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | 7.8 us at 85°C | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| 封裝 | — | VFBGA-96 |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |