BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC019N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC019N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Part Number | — | BSC019N06NSATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.95 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 136 W |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |