BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC019N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC019N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Part Number | — | BSC019N06NSATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.95 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 136 W |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |