BSC026N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC026N04LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC022N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC026N04LSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | 79 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| पिन काउंट | — | 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (junction) |