BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC033N08NS5SCATMA1 द्वारा Infineon और BSC040N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| पैकेज | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| Part Number | — | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |