BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından Infineon ve BSC040N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| Paket | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Part Number | — | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |