BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC040N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC072N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1 - 80V 74A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC072N08NS5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC040N10NS5ATMA1 | BSC072N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 4 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 136 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | 69 W |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Output Capacitance Reduction | Up to 44% vs previous generation | — |
| RDS(on) Reduction | Up to 43% vs previous generation | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 74 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 7.2 mOhm at VGS=10V |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Shipping Pack | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| Standard Pack Quantity | — | 5000 |