BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC040N10NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC072N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC040N10NS5ATMA1 | BSC072N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 4 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 136 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | 69 W |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Output Capacitance Reduction | Up to 44% vs previous generation | — |
| RDS(on) Reduction | Up to 43% vs previous generation | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 74 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 7.2 mOhm at VGS=10V |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Shipping Pack | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| Standard Pack Quantity | — | 5000 |