BSC0504NSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0504NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC0504NSIATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| थर्मल रेज़िस्टेंस | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55°C to +150°C |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| RoHS स्थिति | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 83 W |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |